Bau einer Basis für die Verpackungslinie von Siliziumkarbid-Modulen durch Basic Semiconductor

Am 28. Juli veröffentlichte die Basic Semiconductor Co., Ltd. eine Bekanntmachung, dass das Unternehmen mit dem Auftragnehmer (der China Construction Second Engineering Bureau Co., Ltd.) einen Gesamtvertrag über das Ingenieurprojekt für die Basislinie zur Verkapselung von Siliziumkarbid-Modulen abgeschlossen hat. Demnach übernimmt der Auftragnehmer das Ingenieurprojekt für die Basislinie zur Verkapselung von Siliziumkarbid-Modulen des Unternehmens, wobei der Gesamtvertragspreis 193,3 Millionen RMB beträgt.

Laut der Bekanntmachung befindet sich dieses Ingenieurprojekt im Bezirk Pingshan, Shenzhen, mit einer Gesamtbaufläche von 59.357,54 Quadratmetern. Der Vorstand von Basic Semiconductor gab in der Bekanntmachung bekannt, dass die Durchführung dieses Projekts zur Umsetzung der zukünftigen Betriebsstrategie des Unternehmens beitragen wird, um die wachsende Nachfrage des nachgelagerten Marktes, wie z. B. neue Energiefahrzeuge, intelligente Rechenzentren und Photovoltaik-Energiespeicher, zu unterstützen und zu decken.

Dieses Projekt wurde bereits im April dieses Jahres von der Entwicklungs- und Reformkommission der Stadt Shenzhen für den Bau genehmigt. Die Hauptprodukte umfassen SiC-Halbbrücken-/Vollbrückenmodule in Fahrzeugqualität sowie vergossene Module, mit einer geplanten Jahreskapazität von 700.000 Stück, die den Bedarf an Kernkomponenten für Hauptwechselrichter von etwa 350.000 neuen Energiefahrzeugen decken können.